LGS電光Q開關
這是一種采用LGS（硅酸鎵鑭）晶體設計的新型電光調Q開關。LGS系列Q開關是一種實用的電光器件，可用于中等輸出能量激光器，部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。
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采用LGS晶體設計的光電調Q開關。LGS晶體具有很高的損傷閾值（約為LN的9倍）、出色的光電系數和優良的溫度穩定性。LGS（LG-EO-Q）系列Q開關（普克爾盒）是一種實用的光電器件，可用于中等輸出能量激光器，可部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。
主要特點
波長可達3.2μm
傳輸波前失真＜l/4
損傷閾值＞900MW/cm2
LGS可部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。
- 產品特性
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化學式
La3Ga5SiQ14
晶格參數
三方晶體a=b=7.453A.，c=6.293A.
密度
5.75g/cm3
熔點
1470℃
透過波段
242~3200nm
折射率
1.89
電光系數
Y41=1.8pm/V，Y11=2.3pm/V
電導率
1.7×1010?Ω.cm
潮解性
不潮解
- 技術參數
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晶體尺寸
2?x?2~8 x?8 mm
外殼尺寸
20-35 mm
通光孔徑
8mm-20mm
消光比
＞350:1
透過畸變
λ/6 @?633nm
整體透過率
＞98%?@?1064nm
電極間隔離性
<1
光潔度
20/10 (膜后40/20)
鍍膜 AR/AR @?1064nm?(R<0.2%)
損傷閾值
900MW/cm2?10ns 10Hz?1064nm